三星：有望五年内追上台积电高端芯片技术

三星电子高层表示，在先进芯片技术上与台积电确实存在一定差距，不过，有望在五年内追赶上。

三星装置解决方案主管事业部门主管庆桂显 （Kye Hyun Kyung）表示，

三星晶圆技术目前落后台积电，旗下4纳米制程约落后两年，3纳米约落后三年，但他相信，三星能凭着率先导入3纳米环绕式闸极（Gate All Around，GAA）制程的优势，在五年内追上并取代台积电。

庆桂显还表示，三星预期自家内存在人工智能（AI）服务器开发上将日益重要，有朝一日能超越英伟达（NVDA-US）的绘图芯片（GPU）地位。 他表示，三星将确保，以存储器为中心的超级计算机将能在 2028 年底以前问世。

三星和台积电都生产3纳米半导体，名称相同，但设计上完全不同，三星的3纳米采用GAA技术制造晶体管，台积电则是仰赖已获证实的FinFET。 由于台积电据传计划 2 纳米开始导入 GAA，让他相信是趁机赶上台积电的关键。

和台积电现有制程相比，GAA能让三星生产的芯片小45%，耗能减少50%。 根据庆桂显的说法，客户对三星3纳米GAA制程的反应良好。